Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay

RFpro.ru: Консультации по физике

  Все выпуски  

RusFAQ.ru: Физика


РАССЫЛКИ ПОРТАЛА RUSFAQ.RU

/ НАУКА И ОБРАЗОВАНИЕ / Точные науки / Физика

Выпуск № 135
от 05.12.2006, 21:35

Администратор:Tigran K. Kalaidjian
В рассылке:Подписчиков: 88, Экспертов: 19
В номере:Вопросов: 2, Ответов: 2


Вопрос № 64950: / Уважаемые эксперты! Помогите решить задачу: По кольцу , которое состоит из N=500 витков и имеет радиус R= 20 см, течет ток I=1A .Определите плотность энергии магнитного поля в центре кольца. Спасибо....
Вопрос № 64980: Все равно не могу понять задачу. Условие: между обкладками заряженного конденсатора плотно вдвигается властина из диэлектрика и диэлектрической пронициаемостью равной 4. Найти отношение плотностей связанного заряда на поверхности диэлектрика для ...

Вопрос № 64.950
/ Уважаемые эксперты! Помогите решить задачу: По кольцу , которое состоит из N=500 витков и имеет радиус R= 20 см, течет ток I=1A .Определите плотность энергии магнитного поля в центре кольца. Спасибо.
Отправлен: 30.11.2006, 16:10
Вопрос задал: Igor58 (статус: Посетитель)
Всего ответов: 1
Мини-форум вопроса >>> (сообщений: 0)

Отвечает: _TCH_
Здравствуйте, Igor58!

Найдем магнитное поле в центре кольца, используя закон Био-Савара. Разобьем польцо на бесконечно малые отрезки длиной dl одного витка.
Поле от такого отрезка одного витка равно dB=Mo*I*dl/(4*pi*R^2), где Mo - мю нулевое (магн. прониц. вакуума, 4*pi*10^-7 Генри/м), pi=3.14159...
Поле всего кольца равно суперпозиции (векторной сумме) полей от всех таких отрезков, причем в центре кольца направления вектора dB одинаковы для любого dl и направлены вдоль оси кольца, т.е надо взять интеграл по кольцу от dB (по всем виткам, т.е. по N оборотам).
B=Mo*I/(4*pi*R^2)*интеграл(dl, l от 0 до 2*pi*R*N)=Mo*I*2*pi*R*N/(4*pi*R^2)=Mo*I*N/(2*R)
Плотность энергии магнитного поля равна W=B^2/(2*M*Mo), где M (мю) - магнитная проницаемость среды, для воздуха M=1.
W=[Mo*I*N/(2*R)]^2/(2*Mo)=Mo*I^2*N^2/8=4*pi*10^-7*1*500^2/8=0.0393 Дж/м3

Удачи Вам!
---------
Каждый может сделать этот мир чуточку лучше
Ответ отправил: _TCH_ (статус: Профессионал)
Россия, Москва
ICQ: 205941834
----
Ответ отправлен: 30.11.2006, 19:41
Оценка за ответ: 4


Вопрос № 64.980
Все равно не могу понять задачу.
Условие: между обкладками заряженного конденсатора плотно вдвигается властина из диэлектрика и диэлектрической пронициаемостью равной 4. Найти отношение плотностей связанного заряда на поверхности диэлектрика для двух случаев: а) конденсатор отключен от источника тока, б) конденсатор подключен к источнику тока.
Дело в том, что boriss уже предлагал вариант решения. Но все равно возникает много вопросов по задаче. Как она вообще решается?
Огромнейшее спасибо
Отправлен: 30.11.2006, 19:46
Вопрос задал: ШИЮ (статус: Посетитель)
Всего ответов: 1
Мини-форум вопроса >>> (сообщений: 1)

Отвечает: _TCH_
Здравствуйте, ШИЮ!

Обозначим:
U - разность потенциалов между обкладками
d - расстояние между обкладками (толщина пластины)
e - диэлектрическая проницаемость пластины
e0 - диэлектрическая проницаемость вакуума
p - плотность заряда на обкладках
p' - плотность связанных зарядов на поверхности диэлектрика
Q - заряд конденсатора
S - площадь обкладки
Eo - напряженность поля, создаваемого только свободными зарядами на обкладках
E' - напряженность поля связанных зарядов в диэлектрике (поляризационное поле)
E - напряженность полного макроскопического поля


Для плоского конденсатора напряженность полного поля:
E=p/(e*eo) -> p=E*e0*e
Для поля связанных зарядов:
E'=p'/eo -> p'=E'*e0
Отсюда найдем связь между плотностью связанного заряда и плотностью заряда на обкладках:
p=E*e0*e=(Eo-E')*e0*e=(p/e0-p'/e0)*e0*e=(p-p')*e, откуда
p'=p*(1-1/e), подставляя p=Q/S, получим зависимость плотности связанного заряда на пластине от величины заряда конденсатора:
p'=Q/S*(1-1/e)

Теперь рассмотрим случаи а) и б). Индексами нач, кон обозначим состояния до и после вдвигания пластины.

а) Конденсатор отключен от источника, поэтому заряд Qнач=Qкон не меняется при вдвигании пластины. Поэтому:
p'=Qнач/S*(1-1/e)

б) Конденсатор подключен к источнику, поэтому заряд Qнач не равен Qкон, но зато мы знаем, что Uнач=Uкон.
Т.к. разность потенциалов между обкладками U=Ed=p*d/(e*e0)=Q/S*d/(e*e0), то: Uнач=Qнач/S*d/e0 = Uкон=Qкон/S*d/(e*e0), отсюда: Qкон=Qнач*e. Тогда:
p'=Qкон/S*(1-1/e)=e*Qнач/S*(1-1/e)

Таким образом, в случае б) плотность связанного заряда будет в e=4 раза больше, чем в случае а).

Удачи Вам!

P.S. Если хотите освежить знания по электростатике и понять происхождение уравнений, рекомендую почитать здесь.
---------
Каждый может сделать этот мир чуточку лучше
Ответ отправил: _TCH_ (статус: Профессионал)
Россия, Москва
ICQ: 205941834
----
Ответ отправлен: 30.11.2006, 23:58


Отправить вопрос экспертам этой рассылки

Приложение (если необходимо):

* Код программы, выдержки из закона и т.п. дополнение к вопросу.
Эта информация будет отображена в аналогичном окне как есть.

Обратите внимание!
Вопрос будет отправлен всем экспертам данной рассылки!

Для того, чтобы отправить вопрос выбранным экспертам этой рассылки или
экспертам другой рассылки портала RusFAQ.ru, зайдите непосредственно на RusFAQ.ru.


Форма НЕ работает в почтовых программах The BAT! и MS Outlook (кроме версии 2003+)!
Чтобы отправить вопрос, откройте это письмо в браузере или зайдите на сайт RusFAQ.ru.


© 2001-2006, Портал RusFAQ.ru, Россия, Москва.
Идея, дизайн, программирование: Калашников О.А.
Email: adm@rusfaq.ru, Тел.: +7 (926) 535-23-31
Авторские права | Реклама на портале
Версия системы: 4.37 от 04.10.2006
Яндекс Rambler's Top100

В избранное