Reactor Critical: новости мира 3D-ускорителей
 |
3 августа - ELSA: Gloria DCC теперь и для простых смертных |
Компания ELSA объявила о том, что единственная карта на чипе Quadro DCC, ELSA GLORIA DCC, теперь будет доступна и простым смертным через дистрибьюторскую сеть. Понятие "доступно" в данном случае следует произносить с некоторым сарказмом, поскольку цена в $1145 (£ 799) за ускоритель на GeForce3 явно не понравится абсолютному большинству пользователей.
Напомню, что с мая этого года, когда эта чип Quadro DCC был объявлен, карты на нём были доступны эксклюзивно через сеть Discreet.
Этот сайт утверждает, что опубликовал результаты тестов карты на Quadro DCC. К величайшему сожалению, опубликованные результаты подаются "как есть" без каких-либо сравнений с другими картами...
Напомню, что с мая этого года, когда эта чип Quadro DCC был объявлен, карты на нём были доступны эксклюзивно через сеть Discreet.
Этот сайт утверждает, что опубликовал результаты тестов карты на Quadro DCC. К величайшему сожалению, опубликованные результаты подаются "как есть" без каких-либо сравнений с другими картами...
| Источник: Пресс релиз | Автор: ToNe | Обсудить |
|
3 августа - Еще один ноутбук с Mobility RADEON |
Вот и стали один за другим появляться первые ласточки на Mobility RADEON. Сначала Sony и Compaq объявили свои компьютеры на Mobility RADEON-M, теперь очередь за HP. Вопреки двум предыдущим компаниям, которые использовали в своих ноутбуках версию с 8 MB интегрированной в корпус чипа памяти, Hewlett Packard будет устанавливать более дорогую Mobility RADEON-P с 16 MB встроенной памяти.
Кстати, как и в двух предыдущих моделях, мобильный RADEON соседствует с процессорами Pentium III-M (933-1.133 Mhz)и набором логики Intel 830MP. Типовая модель может работать до пяти часов от базового литий-ионного аккумулятора и до восьми, в случае, если используется дополнительная батарея.
В общем, потихоньку-помаленьку, а Mobility RADEON начинает отвоевывать своё место под солнцем.
Кстати, как и в двух предыдущих моделях, мобильный RADEON соседствует с процессорами Pentium III-M (933-1.133 Mhz)и набором логики Intel 830MP. Типовая модель может работать до пяти часов от базового литий-ионного аккумулятора и до восьми, в случае, если используется дополнительная батарея.
В общем, потихоньку-помаленьку, а Mobility RADEON начинает отвоевывать своё место под солнцем.
| Источник: Пресс релиз | Автор: ToNe | Обсудить |
|
2 августа - Разработчики уже получили RADEON2? |
Согласно пока непроверенным данным, некоторые разработчики игр уже имеют на руках карты на базе RADEON2 и вовсю экспериментируют с его возможностями. Что это означает на практике? Да собственно ничего, просто лишнее подтверждение того, что R200 уже пошел в массовое производство. Продолжаем ждать официального объявления нового GPU от ATI Technologies.
| Автор: ToNe | Обсудить |
|
2 августа - TSMC и UMC на пороге 0.1 микрон |
По мере того, как графические чипы и микропроцессоры становятся все сложнее, а их тактовая частота повышается, производители полупроводников внедряют все более тонкие техпроцессы.
Если для поколения графических чипов сегодняшнего дня оптимальной технологией производства является 0.15 микронный процесс, то к началу следующего года должны подоспеть GPU следующего поколения (R300 и NV30), для которых потребуется более тонкая 0.13 микронная технология. Информации о графических процессорах, которые появятся в 2003 году пока нет. Однако, принимая во внимание тенденцию к увеличению количества транзисторов и, как следствие, еще более тонкий техпроцесс мы можем предположить, что в 2003 году GPU станут 0.10 микронными.
Крупнейшие контрактные производители полупроводников, TSMC и UMC, уже сейчас начинают подготовку к переходу на новый процесс. По предположениям, первые 0.1 микронные чипы должны появиться через год - во второй половине 2002. Первые коммерческие поставки продуктов начнутся в первом квартале 2003 года. Обе компании придерживаются одного графика внедрения нового техпроцесса, и, несмотря на небольшую разницу в подходах к его внедрению, сталкиваются с одинаковыми проблемами и трудностями.
Как известно, для перехода на 0.1 микронный техпроцесс понадобиться новое оборудование - фторид-аргонные 193 нм литографические сканеры. 248 нм сканеры, которые используются на 0.25, 0.18 и 0.15 мкм и могут быть использованы при производстве 0.13 микронных чипов (переход на размеры, меньшие длины волны, стал возможным благодаря различным специальным методикам, таким как внеосевое освещение (off-axis illumination) и маскирование с фазовым сдвигом (phase-shift masking)) для более тонкого техпроцесса уже не подойдут. Кстати, TSMC будет использовать 193 нм литографию уже на 0.13 микронных чипах. Во-первых, это позволит получить опыт работы с таким оборудованием, во-вторых, проверить само оборудование, в-третьих, снизить себестоимость 0.13 микронных чипов (хотя кто-то может возразить этому пункту).
Одной их трудностей в переходе к 0.1 микронному техпроцессу является нахождение оптимального диэлектрика. Дело в том, что толщина и качество диэлектрика между слоями при 0.1 микронном производстве являются очень критичными факторома. Так, с уменьшением толщины изолятора на 2 ангстрема, вероятность пробоя диэлектрика увеличивается в 10 раз. Если при 0.13 микронах изолятор имеет толщину в 17 ангстремов, то при 0.1 микроне его толщина уменьшается до 14, т.е. возможность пробоя возрастает как минимум в 10 раз!
Для примера: медным проводникам нужен изолятор с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости. На теперешних 0.13 микронах этот коэффициент составляет от 2.7 до 3. На 0.1 микроне он должен быть от 2.2 до 2.4.. Таким образом, для повышения производительности без дальнейшего утончения подзатворного оксида придется разрабатывать новые структуры транзисторов или новые подзатворные оксиды с более высокой диэлектрической проницаемостью.
Вещество, которое используется сейчас к качестве окисла, прокладываемого между металлом и полупроводником - оксид кремния. При переходе на 0.1 микрон в качестве диэлектрика могут начать использование нитрита кремния. Соединение, которое сейчас используется для покрытия окисла - силицид кобальта, может быть использовано и в случае с 0.1 мкм чипами, однако, существует вероятность перехода на силицид никеля.
Как видно, это достаточно серьезное припятствие на пути к внедрению сверх-тонких техпроцессов. А ведь UMC уже заявляет, что продолжит сотрудничество с IBM и Infineon в области разработки 0.07 и 0.05 микронных чипов...
Подведем небольшой итог. В конце этого года обе компании начнут выпуск коммерческих образцов 0.13 микронных чипов. Подобный переход будет достаточно прост, по сравнению с переходом на 0.10 мкм технологию. Заметим, что TSMC собирается помогать своим клиентам разрабатывать чипы под новый техпроцесс, что естественно поможет одним поскорее начать коммерческое производства, окупая тем самым новое оборудование и технологии, а другим получить чипы, выполненные по самым современным технологиям.
При создании заметки были использованы материалы с сайтов Nikkei BP и Открытые Системы
Если для поколения графических чипов сегодняшнего дня оптимальной технологией производства является 0.15 микронный процесс, то к началу следующего года должны подоспеть GPU следующего поколения (R300 и NV30), для которых потребуется более тонкая 0.13 микронная технология. Информации о графических процессорах, которые появятся в 2003 году пока нет. Однако, принимая во внимание тенденцию к увеличению количества транзисторов и, как следствие, еще более тонкий техпроцесс мы можем предположить, что в 2003 году GPU станут 0.10 микронными.
Крупнейшие контрактные производители полупроводников, TSMC и UMC, уже сейчас начинают подготовку к переходу на новый процесс. По предположениям, первые 0.1 микронные чипы должны появиться через год - во второй половине 2002. Первые коммерческие поставки продуктов начнутся в первом квартале 2003 года. Обе компании придерживаются одного графика внедрения нового техпроцесса, и, несмотря на небольшую разницу в подходах к его внедрению, сталкиваются с одинаковыми проблемами и трудностями.
Как известно, для перехода на 0.1 микронный техпроцесс понадобиться новое оборудование - фторид-аргонные 193 нм литографические сканеры. 248 нм сканеры, которые используются на 0.25, 0.18 и 0.15 мкм и могут быть использованы при производстве 0.13 микронных чипов (переход на размеры, меньшие длины волны, стал возможным благодаря различным специальным методикам, таким как внеосевое освещение (off-axis illumination) и маскирование с фазовым сдвигом (phase-shift masking)) для более тонкого техпроцесса уже не подойдут. Кстати, TSMC будет использовать 193 нм литографию уже на 0.13 микронных чипах. Во-первых, это позволит получить опыт работы с таким оборудованием, во-вторых, проверить само оборудование, в-третьих, снизить себестоимость 0.13 микронных чипов (хотя кто-то может возразить этому пункту).
Одной их трудностей в переходе к 0.1 микронному техпроцессу является нахождение оптимального диэлектрика. Дело в том, что толщина и качество диэлектрика между слоями при 0.1 микронном производстве являются очень критичными факторома. Так, с уменьшением толщины изолятора на 2 ангстрема, вероятность пробоя диэлектрика увеличивается в 10 раз. Если при 0.13 микронах изолятор имеет толщину в 17 ангстремов, то при 0.1 микроне его толщина уменьшается до 14, т.е. возможность пробоя возрастает как минимум в 10 раз!
Для примера: медным проводникам нужен изолятор с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости. На теперешних 0.13 микронах этот коэффициент составляет от 2.7 до 3. На 0.1 микроне он должен быть от 2.2 до 2.4.. Таким образом, для повышения производительности без дальнейшего утончения подзатворного оксида придется разрабатывать новые структуры транзисторов или новые подзатворные оксиды с более высокой диэлектрической проницаемостью.
Вещество, которое используется сейчас к качестве окисла, прокладываемого между металлом и полупроводником - оксид кремния. При переходе на 0.1 микрон в качестве диэлектрика могут начать использование нитрита кремния. Соединение, которое сейчас используется для покрытия окисла - силицид кобальта, может быть использовано и в случае с 0.1 мкм чипами, однако, существует вероятность перехода на силицид никеля.
Как видно, это достаточно серьезное припятствие на пути к внедрению сверх-тонких техпроцессов. А ведь UMC уже заявляет, что продолжит сотрудничество с IBM и Infineon в области разработки 0.07 и 0.05 микронных чипов...
Подведем небольшой итог. В конце этого года обе компании начнут выпуск коммерческих образцов 0.13 микронных чипов. Подобный переход будет достаточно прост, по сравнению с переходом на 0.10 мкм технологию. Заметим, что TSMC собирается помогать своим клиентам разрабатывать чипы под новый техпроцесс, что естественно поможет одним поскорее начать коммерческое производства, окупая тем самым новое оборудование и технологии, а другим получить чипы, выполненные по самым современным технологиям.
При создании заметки были использованы материалы с сайтов Nikkei BP и Открытые Системы
| Автор: ToNe | Обсудить |
| http://subscribe.ru/
E-mail: ask@subscribe.ru | Отписаться | Рейтингуется SpyLog |
| В избранное | ||
