Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay

RFpro.ru: Консультации по физике

  Все выпуски  

RFpro.ru: Консультации по физике


РАССЫЛКИ ПОРТАЛА RFPRO.RU

Лучшие эксперты в разделе

Гордиенко Андрей Владимирович
Статус: Советник
Рейтинг: 6116
∙ повысить рейтинг »
Алексеев Владимир Николаевич
Статус: Мастер-Эксперт
Рейтинг: 963
∙ повысить рейтинг »
Михаил Александров
Статус: Профессионал
Рейтинг: 579
∙ повысить рейтинг »

∙ Физика

Номер выпуска:2102
Дата выхода:24.04.2019, 20:15
Администратор рассылки:Roman Chaplinsky / Химик CH (Модератор)
Подписчиков / экспертов:124 / 63
Вопросов / ответов:1 / 1

Консультация # 195307: Здравствуйте, уважаемые эксперты! Прошу вас ответить на следующий вопрос: Определите положение уровня Ферми в собственном полупроводнике, если энергия активации в нём равна 0.2 эВ. За нулевой уровень отсчёта примите потолок валентной зоны. Ответ дайте в эВ с точностью до двух цифр после десятичной точки. ...

Консультация # 195307:

Здравствуйте, уважаемые эксперты! Прошу вас ответить на следующий вопрос:
Определите положение уровня Ферми в собственном полупроводнике, если энергия активации в нём равна 0.2 эВ. За нулевой уровень отсчёта примите потолок валентной зоны.
Ответ дайте в эВ с точностью до двух цифр после десятичной точки.

Дата отправки: 18.04.2019, 20:04
Вопрос задал: dar777 (1-й класс)
Всего ответов: 1
Страница онлайн-консультации »


Консультирует Коцюрбенко Алексей Владимирович (Модератор):

Здравствуйте, dar777!

Зависимость концентрации электронов n и дырок p от температуры определяется формулами:


где Ev - потолок валентной зоны, EF - уровень Ферми, Ec - дно зоны проводимости, mn* и mp* - эффективные массы электронов и дырок. Для собственного полупроводника концентрации электронов и дырок равны (n = p), так как каждый электрон, покинувший валентную зону, создает одну дырку. Следовательно,

откуда для уровня Ферми имеем

Если эффективные массы электронов и дырок равны, то уровень Ферми при любой температуре будет располагаться посередине запрещенной зоны.

Для собственного полупроводника (в котором отсутствует примесная проводимость и электроны переходят только из валентной зоны в зону проводимости) энергия активации равна ширине запрещённой зоны. В данном случае ширина запрещённой зоны равна 0.2 эВ, а уровень Ферми (расположенный посередине запрещенной зоны), будет равен 0.1 эВ относительно потолка валентной зоны.

Консультировал: Коцюрбенко Алексей Владимирович (Модератор)
Дата отправки: 23.04.2019, 19:15

5
Это самое лучшее решение!
-----
Дата оценки: 23.04.2019, 20:54

Рейтинг ответа:

НЕ одобряю +1 одобряю!


Оценить выпуск | Задать вопрос экспертам

главная страница  |  стать участником  |  получить консультацию
техническая поддержка

Дорогой читатель!
Команда портала RFPRO.RU благодарит Вас за то, что Вы пользуетесь нашими услугами. Вы только что прочли очередной выпуск рассылки. Мы старались. Пожалуйста, оцените его. Если совет помог Вам, если Вам понравился ответ, Вы можете поблагодарить автора - для этого в каждом ответе есть специальные ссылки. Вы можете оставить отзыв о работе портале. Нам очень важно знать Ваше мнение. Вы можете поближе познакомиться с жизнью портала, посетив наш форум, почитав журнал, который издают наши эксперты. Если у Вас есть желание помочь людям, поделиться своими знаниями, Вы можете зарегистрироваться экспертом. Заходите - у нас интересно!
МЫ РАБОТАЕМ ДЛЯ ВАС!


В избранное