Вопрос № 179986: Решите плиз. Полупроводник в виде тонкой пластины шириной 2 см и длиной 10 см помещен в однородное магнитное поле с индукцией 0,1 Тл. Вектор магнитной индукции перпендикулярен плоскости пластины. К концам пластины по направлению длины приложено по...
Вопрос № 179986:
Решите плиз. Полупроводник в виде тонкой пластины шириной 2 см и длиной 10 см помещен в однородное магнитное поле с индукцией 0,1 Тл. Вектор магнитной индукции перпендикулярен плоскости пластины. К концам пластины по направлению длины приложено постоянное напряжение 150 В. Определить холловскую разность потенциалов на гранях пластины, если постоянная Холла равна 0,1 м3/Кл, удельное сопротивление равно 0,3 Ом м.
Отвечает vitalkise, Студент :
Здравствуйте, Flavi49. При помещении полупроводника в магнитное поле носители тока, перемещаюшиеся под действием приложенной к нему разности потенциалов, будут отклоняться в поперечном направлении. Это отклонение, вызванное силой Лоренца, приведет к "накоплению" заряда на боковой поверхности образца, причем создаваемое в результате этого напряжение (холловская разность потенциалов) действием своим будет уравновешивать силу Лоренца. Холловская разность потенциалов определяется соотношением: Uн=RнBjl Плотность
тока j найдем, воспользовавшись законом Ома в дифференциальной форме: j=yE, где Е - напряженность поля в образце. Считая поле в образце однородным, можно написать E=U/L и тогда j=yU/L Подставив плотность тока в выражение получим: Uн=Rн*B*l*y*U/L Удельная проводимость равна: y=1/ρ Тогда получим: Uн=Rн*B*l*U/(L*ρ) Вычислим искомую величину: Uн=0.1*0.1*0.02*150/(0.1*0.3)=1 (В) Удачи
Ответ отправил: vitalkise, Студент
Ответ отправлен: 22.09.2010, 10:04
Номер ответа: 263132
Оценка ответа: 5
Вам помог ответ? Пожалуйста, поблагодарите эксперта за это! Как сказать этому эксперту "спасибо"?
Отправить SMS#thank 263132
на номер 1151 (Россия) |
Еще номера »
Дано: l = 2 см = 0,02 м, L = 10 см = 0,1 м, U = 150 В, B = 0,1 Тл, RH = 0,1 м3/Кл, ρ = 0,3 Ом ∙ м. Определить: ∆φ.
Если поместить полупроводник в магнитное поле (рисунок), носители тока (например, электроны в проводнике n–типа), перемещающиеся под действием разности потенциалов U, будут отклоняться в поперечном направлении.
Отклонение, вызванное силой Лоренца, приведет к накоплению зарядов противоположных знаков на боковых поверхностях пластины, причем создаваемая в результате этого холловская разность потенциалов ∆φ своим действием будет уравновешивать силу Лоренца.
Преобразуем известную формулу ∆φ = RHBI/d, где d = S/l – толщина пластины, S – площадь поперечного сечения пластины, учитывая, что I = U/r, где r = ρL/S – сопротивление полупроводника, следующ
им образом: ∆φ = RHBI/d = RHBU/(rd) = RHBU/(ρL/S ∙ S/l) = RHBUl/(ρL). (1)
Подставляя в выражение (1) численные значения величин, получаем ∆φ = 0,1 ∙ 0,1 ∙ 150 ∙ 0,02/(0,3 ∙ 0,1) = 1 (В).
* Стоимость одного СМС-сообщения от 7.15 руб. и зависит от оператора сотовой связи.
(полный список тарифов)
** При ошибочном вводе номера ответа или текста #thank услуга считается оказанной, денежные средства не возвращаются.
*** Сумма выплаты эксперту-автору ответа расчитывается из суммы перечислений на портал от биллинговой компании.