| ← Май 2011 → | ||||||
|
2
|
3
|
6
|
||||
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
|
|
16
|
17
|
18
|
19
|
20
|
21
|
22
|
|
23
|
25
|
26
|
27
|
28
|
29
|
|
|
30
|
31
|
|||||
За последние 60 дней ни разу не выходила
Сайт рассылки:
http://newsoffice.ru
Открыта:
12-07-2010
Статистика
0 за неделю
Самые позитивные новости Intel заново изобрела транзисторы: чипы станут на 37% быстрее
 Трехмерная структура Tri-Gate: управляющий ток протекает по трем поверхностям, вместо одного узкого канала в планарной структуре. Intel объявила о революции в полупроводниковой промышленности: в конце 2011 г. корпорация планирует первой приступить к серийному производству процессоров с трехмерными транзисторами, обеспечивающими максимум на 37% более высокую скорость работы. Intel объявила о готовности первой среди производителей приступить к выпуску полупроводниковых чипов с трехмерными транзисторами. В корпорации данный шаг называют революцией за более чем 50-летнюю историю элементарной частицы электронного устройства. Переход на 3D-структуру является революционным событием, объяснили в Intel, так как до настоящего момента в массовой электронике использовались исключительно планарные структуры. И это касается не только потребительской электроники, но и любых других областей – от медицинского оборудования до космических аппаратов.
Ученые Intel вновь изобрели транзистор, в этот раз используя третье измерение, – прокомментировал президент и главный исполнительный директор Intel Пол Отеллини (Paul Otellini). – Новая технология позволит задавать темп развития индустрии и расширить горизонты закона Мура. В соответствии с законом Мура – названным в честь одного из основателей Intel Гордона Мура (Gordon Moore), – число транзисторов в микросхемах удваивается каждые два года. Однако с приближением к 22-нм технологической норме следовать данному правилу становится все сложнее, рассказывают в корпорации. Зная о предстоящих трудностях, в 2002 г. инженеры научно-исследовательских лабораторий Intel изобрели технологию Tri-Gate. Суть предложенной технологии заключается в использовании кремниевой подложки, из которой элементы как бы произрастают вверх, открывая управляющему току целых три поверхности, через которые он может протекать, вместо одного узкого канала в двухмерных элементах. Это снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью блокирует поток в закрытом состоянии, снижая ток утечки и позволяя транзистору очень быстро переходить из одного состояния в другое. Трехмерные транзисторы Tri-Gate, изготовленные на базе 22-нм техпроцесса, смогут предложить максимум на 37% более высокую производительность в сравнении с обычными транзисторами, изготовленными на базе 32-нм техпроцесса. При этом чипы с новыми транзисторами смогут потреблять менее половины энергии, чем 32-нм чипы с двухмерной структурой, без снижения производительности, утверждают в Intel. В корпорации уверены, что благодаря переходу на новую технологию они смогут следовать закону Мура в течение многих следующих лет. Кроме того, в компании рассчитывают, что технология Tri-Gate позволит существенно снизить энергопотребление чипов Intel Atom для смартфонов, что, наконец, позволит Intel выйти в сегмент карманной электроники. Технологию трехмерных транзисторов впервые планируется применить в конце 2011 г. в массовом производстве процессоров Intel Core под кодовым названием Ivy Bridge. Эти процессоры будут выпускаться на основе 22-нм нормы. Впоследствии технологию планируется внедрить в линейку Atom. Здесь можно оставить свои комментарии. Выпуск подготовлен Копрункт Позитив - позитивные новости со всего света |
| В избранное | ||
