Рассылка о новинках в области прогнозирования развития технологий, о методах решениях технических (и не только) задач, о применении Законов ТРИЗ для принятия правильных решений в выборе своего будущего…
Здравствуйте, уважаемые подписчики!
В прошлой рассылке мы говорили о 8-и Законах Развития Технических Систем, и пришли к выводу о том, что существенным недостатком этих законов является отсутствие их количественного представления…
Продолжим…
Применение Законов Развития Технических Систем на многочисленных примерах выявило некоторые закономерности и привело к дальнейшему дроблению Законов на Линии, которые получили название «Линии Развития Технических Систем». Использование Линий при анализе развития ТС позволило:
§значительно упростить технологию анализа;
§более детально исследовать предмет анализа;
§ввести элементы алгоритмизации или формализовать процедуру анализа;
§применить количественную оценку состояния ТС по каждой линии.
Именно введение количественной оценки идеальности ТС по линии развития кардинально изменило ситуацию и увеличило ценность данного метода для практического использования в анализе, сравнении и прогнозировании развития Технических Систем. Количественная оценка позволила проводить анализ не только однородных систем или одной системы в разное время, но так же и систем, ни как не связанных
меду собой. Это дает возможность сравнить скрытый потенциал будущего развития для разных ТС. Такой анализ может потребоваться в целях оценки привлекательности разных инвестиционных проектов. Например, можно оценить перспективные возможности для ТС «Электробритва» и сравнить их с возможностями ТС «одноразовая посуда».
На сегодня известно 24 линии развития ТС. Каждая линия имеет максимальную оценку идеальности в 10 баллов. Поскольку количество этапов развития ТС на каждой линии различно, оценка каждого этапа будет определяться отношением максимального значения к количеству этапов. Например, если линия «развития ТС по S-кривой»
имеет 4 этапа, то каждый этап будет оцениваться в 2,5 балла. Линия «вытеснения человека с исполнительского уровня» имеет всего три этапа, а линия «МАТХЕМ» - 8 этапов. В настоящей статье мы не будем приводить полный перечень этих линий, а остановимся выборочно лишь на некоторых, описание которых наиболее понятно из примеров.
1. ЛИНИЯ «МАКРО-МИКРО»
Развитие ТС по линию «Макро-Микро» условно можно разделить на 7 этапов:
Макроуровень - узлы и детали специальной формы. Например: шестеренки, рычаги, втулки, валы и т.п.(оценка - 1.4)
Полисистемы из элементов простой геометрической формы: конструкции, набранные из листов, нитей, шариков - сердечники трансформаторов, тросы, иглофрезы, сотовые, сетчатые и витые конструкции. (оценка - 2,8)
Полисистемы из высокодисперсных элементов. Порошки, эмульсии, аэрозоли, суспензии), капиллярно-пористые материалы (КПМ) и т.д. Порошковая металлургия, пенопласты, пенометаллы. (оценка - 4,2)
Системы, использующие эффекты, связанные со структурой веществ - аморфных и кристаллических, твердых и жидких, с кристаллическими перестройками (домены) и фазовыми переходами (надмолекулярный уровень). Закалка, переход "аморфное -кристаллическое" и др. (оценка - 5,7)
Системы, использующие молекулярные явления – химические превращения (разложение и синтез, полимеризация, катализ и ингибирование и т.п.) Например, использование озона для очистки воды. (оценка - 7,0)
Системы, использующие атомные явления - ионизация и рекомбинация, действие элементарных частиц, ионов и т.д. Например - получение озона, электронный микроскоп, электронная сварка, нейтронная бомбардировка. (оценка - 8,5)
Системы, использующие вместо веществ действие различных полей. Например, лазерные технологии. (оценка - 10,0)
2. ЛИНИЯ «ПУСТОТНОСТИ»
Увеличение степени дробления «смеси» вещества с пустотой (переход к КПМ) проходит через 8 этапов:
Сплошное вещество
Сплошное с одной полостью
«Перфорированное» вещество
Капиллярно-пористый материал (КПМ)
КПМ с определенной структурой
КПМ, в порах другое вещество
Цеолиты, гели
Комбинации веществ с различной пористостью
3. ЛИНИЯ «ЭТАП РАЗВИТИЯ ТС ПО S-КРИВОЙ»
Этап развития ТС по S-кривой:
Создание системы
1 этап развития ТС
2 этап развития ТС
3 этап развития ТС
Создание новой ТС (диверсификация или объединение)
22. ЛИНИЯ «ВЫТЕСНЕНИЕ ЧЕЛОВЕКА с исполнительского уровня»
Уровни вытеснения человека:
Появление простых инструментов. Дубина, каменный нож, палка-копалка.
Появление простых механизмов-преобразователей энергии. Рычаг, лук, блок.
Использование вместо мускульной силы различных источников энергии. Ветер, вода, паровая машина и др.
23. ЛИНИЯ «ВЫТЕСНЕНИЕ ЧЕЛОВЕКА с уровня управления»
Уровни вытеснения человека:
Появление механизмов управления. Руль у корабля, вожжи.
Появление механизмов – преобразователей команд в системах управления. Сервомоторы, бустерные устройства.
Появление источника команд управления. Копиры у токарных и фрезерных станков, простейшие автопилоты без обратных связей и логических схем.
Анализируя ТС по данной технологии, мы выставляем ей оценку индивидуально по каждой линии развития. Таким образом, максимальная суммарная оценка самой идеальной системы может быть 240 баллов, или 1, в относительных единицах (240/240). Следует особо отметить тот факт, что данная система оценок носит строго объективный характер.
Использование линий развития и системы оценок дало возможность графически интерпретировать состояние идеальности ТС. Ниже приведен пример графического представления в виде лепестковой диаграммы сравнительного анализа двух ТС – фотоаппарата типа «мыльница» и цифрового фотоаппарата.
Данная Диаграмма Оценки Идеальности ТС получила название «ДОИТС-Сибирякова», по имени автора этого открытия Сибирякова Виссариона Григорьевича, кандидата наук, члена Президиума Международной Ассоциации ТРИЗ, президента Ассоциации профессиональных консультантов «Ключевые технологии», Мастера ТРИЗ.
ДОИТС – Сибирякова поражает своей наглядностью, удобством и возможностями анализа. Графическое решение ДОИТС делает просто невозможными скептические возражения оппонентов при анализе прогноза развития ТС, и более того, диаграмма подталкивает к поиску новых идей, указывая правильное направление.
Единственным существенным недостатком, по нашему мнению, является невозможность сравнения данной технологии анализа с другими, альтернативными, по той простой причине, что их просто не существует. На сегодняшний день это единственная в мире технология объективнойколичественной оценки состояния идеальности ТС, которая позволяет давать гарантированные прогнозы будущего развития
ТС.
Полный перечень Линий развития ТС находится здесь.
ПРОЩАЙ, ЖЕСТКИЙ ДИСК - в статье дается прогноз о сроках замены винчестера флеш-памятью. 5-летний срок, на мой взгляд, слишком пессимистичный прогноз. Может быть,
стоит принять во внимание Закон повышения идеальности?