Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay
  Все выпуски  

Технологии Прогнозов & Прогнозы Технологий


Информационный Канал Subscribe.Ru

   Технологии Прогнозов & Прогнозы Технологий

 выпуск 5

 

Технологии Прогнозов & Прогнозы Технологий


или

Тайны Технологий Точных Технических Прогнозов

 

 

Автор рассылки:
Varnava Leem


Адрес для писем:

solvers@yandex.ru

 

 

Рассылка о новинках в области прогнозирования развития технологий, о методах решениях технических (и не только) задач, о применении Законов  ТРИЗ для принятия правильных решений в выборе своего будущего…

 

Здравствуйте, уважаемые подписчики!

В прошлой рассылке мы говорили о 8-и Законах Развития Технических Систем, и пришли к выводу о том, что существенным недостатком этих законов является отсутствие их количественного представления…

 

 

 

Продолжим…

 

Применение Законов Развития Технических Систем на многочисленных примерах выявило некоторые закономерности и привело к дальнейшему дроблению Законов на Линии, которые получили название «Линии Развития Технических Систем». Использование Линий при анализе развития ТС позволило:

§         значительно упростить технологию анализа;

§         более детально исследовать предмет анализа;

§         ввести элементы алгоритмизации или формализовать процедуру анализа;

§         применить количественную оценку состояния ТС по каждой линии.

Именно введение количественной оценки идеальности ТС по линии развития кардинально изменило ситуацию и увеличило ценность данного метода для практического использования  в анализе, сравнении и прогнозировании развития Технических Систем. Количественная оценка позволила проводить анализ не только однородных систем или одной системы в разное время, но так же и систем, ни как не связанных меду собой. Это дает возможность сравнить скрытый потенциал будущего развития для разных ТС. Такой анализ может потребоваться в целях оценки привлекательности разных инвестиционных проектов. Например, можно оценить перспективные возможности для ТС «Электробритва» и сравнить их с возможностями ТС «одноразовая посуда».

На сегодня известно 24 линии развития ТС. Каждая линия имеет максимальную оценку идеальности в 10 баллов. Поскольку количество этапов развития ТС на каждой линии различно, оценка каждого этапа будет определяться отношением максимального значения к количеству этапов. Например, если линия «развития ТС по S-кривой» имеет 4 этапа, то каждый этап будет оцениваться в 2,5 балла. Линия «вытеснения человека с исполнительского уровня» имеет всего три этапа, а линия «МАТХЕМ» - 8 этапов.  В настоящей статье мы не будем приводить полный перечень этих линий, а остановимся выборочно лишь на некоторых, описание которых наиболее понятно из примеров.

 

1. ЛИНИЯ «МАКРО-МИКРО»

 

Развитие ТС по линию «Макро-Микро» условно можно разделить на 7 этапов:

 

  1. Макроуровень -  узлы  и детали специальной формы. Например: шестеренки, рычаги, втулки, валы и т.п. (оценка -  1.4)
  2. Полисистемы из элементов простой геометрической формы: конструкции, набранные из листов, нитей, шариков - сердечники трансформаторов, тросы, иглофрезы, сотовые, сетчатые и витые конструкции.       (оценка -  2,8)
  3. Полисистемы из высокодисперсных элементов.  Порошки,  эмульсии, аэрозоли, суспензии), капиллярно-пористые материалы (КПМ) и т.д. Порошковая металлургия, пенопласты, пенометаллы. (оценка -  4,2)
  4. Системы,  использующие  эффекты,  связанные со структурой веществ - аморфных и кристаллических, твердых и жидких, с кристаллическими перестройками  (домены)  и фазовыми переходами (надмолекулярный уровень). Закалка,  переход  "аморфное -кристаллическое"  и др.        (оценка -  5,7)
  5. Системы, использующие молекулярные явления – химические превращения (разложение и синтез, полимеризация,  катализ и ингибирование и т.п.) Например,  использование озона для очистки воды. (оценка -  7,0)
  6. Системы, использующие атомные явления - ионизация и рекомбинация, действие элементарных частиц,  ионов и т.д. Например - получение озона, электронный микроскоп, электронная сварка, нейтронная бомбардировка.  (оценка -  8,5)
  7. Системы,  использующие  вместо  веществ  действие  различных полей. Например, лазерные технологии. (оценка -  10,0)

 

2. ЛИНИЯ   «ПУСТОТНОСТИ»

 

Увеличение степени дробления «смеси» вещества с пустотой (переход к КПМ) проходит через 8 этапов:

 

  1. Сплошное вещество
  2. Сплошное с одной полостью
  3. «Перфорированное» вещество
  4. Капиллярно-пористый материал (КПМ)
  5. КПМ с определенной структурой
  6. КПМ, в порах другое вещество
  7. Цеолиты, гели
  8. Комбинации веществ с различной пористостью

 

3.  ЛИНИЯ   «ЭТАП РАЗВИТИЯ   ТС   ПО S-КРИВОЙ»

 

Этап развития ТС по S-кривой:

 

  1. Создание системы
  2. 1 этап развития ТС
  3. 2 этап развития ТС
  4. 3 этап развития ТС
  5. Создание новой  ТС (диверсификация или объединение)

 

22.  ЛИНИЯ   «ВЫТЕСНЕНИЕ ЧЕЛОВЕКА с исполнительского уровня»

 

Уровни вытеснения человека:

 

  1. Появление простых инструментов. Дубина, каменный нож, палка-копалка.
  2. Появление простых механизмов-преобразователей энергии.  Рычаг, лук, блок.
  3. Использование вместо мускульной силы различных источников энергии. Ветер, вода, паровая машина и др.

          

 

23.  ЛИНИЯ   «ВЫТЕСНЕНИЕ ЧЕЛОВЕКА с уровня управления»

 

Уровни вытеснения человека:

 

  1. Появление механизмов управления. Руль у корабля, вожжи.
  2. Появление механизмов – преобразователей команд в системах управления. Сервомоторы, бустерные устройства.
  3. Появление источника команд управления. Копиры у токарных и фрезерных станков, простейшие автопилоты без обратных связей и логических схем.

 

Анализируя ТС по данной технологии, мы выставляем ей оценку индивидуально по каждой линии развития. Таким образом, максимальная суммарная оценка самой идеальной системы может быть 240 баллов, или 1, в относительных единицах (240/240). Следует особо отметить тот факт, что данная система оценок носит строго объективный характер.

Использование линий развития и системы оценок дало возможность графически интерпретировать состояние идеальности ТС. Ниже приведен пример графического представления в виде лепестковой диаграммы сравнительного анализа двух ТС – фотоаппарата типа «мыльница» и цифрового фотоаппарата.

http://www.ljplus.ru/img/l/u/luasun/image001.gif

 

 

Данная Диаграмма Оценки Идеальности ТС получила название «ДОИТС-Сибирякова», по имени автора этого открытия Сибирякова Виссариона Григорьевича, кандидата наук, члена Президиума Международной Ассоциации ТРИЗ, президента Ассоциации профессиональных консультантов «Ключевые технологии», Мастера ТРИЗ.

ДОИТС – Сибирякова поражает своей наглядностью, удобством и возможностями анализа. Графическое решение ДОИТС делает просто невозможными скептические возражения оппонентов при анализе прогноза развития ТС, и более того, диаграмма подталкивает к поиску новых идей, указывая правильное направление.

Единственным существенным недостатком, по нашему мнению, является невозможность сравнения данной технологии анализа с другими, альтернативными, по той простой причине, что их просто не существует. На сегодняшний день это единственная в мире технология объективной количественной оценки состояния идеальности ТС, которая позволяет давать гарантированные прогнозы будущего развития ТС.

 

Полный перечень Линий развития ТС находится здесь.

 

 Varnava Leem

[вверх]

 

 

 

Мир открытий и ЗРТС

 

ПРОЩАЙ, ЖЕСТКИЙ ДИСК  - в статье дается прогноз о сроках замены винчестера флеш-памятью. 5-летний срок, на мой взгляд, слишком пессимистичный прогноз. Может быть, стоит принять во внимание Закон повышения идеальности?

Ваше мнение

[вверх]

 

 

 

 

Удивительное рядом

 

Возможности Интернета в мире равных возможностей. milliondollarhomepage.com

Флоридский спаммер оштрафован на $11 млн.

[вверх]

 

© «Тайны Технологий Точных Технических Прогнозов» 2006 г.

 

 

Варнава Лим       solvers@yandex.ru


Subscribe.Ru
Поддержка подписчиков
Другие рассылки этой тематики
Другие рассылки этого автора
Подписан адрес:
Код этой рассылки: industry.comp.triz
Архив рассылки
Отписаться Вебом Почтой
Вспомнить пароль

В избранное