Исследователи из Технологического Института Джорджии (Georgia Institute of Technology) сконструировали матрицу быстродействующих полевых транзисторов на основе фуллеренов С60 .
Нет, речь идет не о том, чтобы просверлить в графене (монослое атомов углерода) дырку. Имеется в виду диэлектрическая (или полупроводниковая) щель в плотности электронных состояний.
Вышел очередной информационный бюллетень Национального контактного центра по тематическому направлению «Нанонауки, нанотехнологии, материалы и новые промышленные технологии» (“Nanosciences, Nanotechnologies, Materials and new Production Techn