Новости космоса - Освоение космоса Модификация производства графена позволяет улучшить создаваемые устройства
Полимерные частицы, остающиеся на поверхности графена после его переноса на диэлектрическую подложку, в частности, SiO2, негативно сказываются на его электронных характеристиках. Но теперь группа исследователей из США предлагает использовать в процессе переноса раствор с более низкой концентрацией полимера.
Как оказалось, это позволяет снизить концентрацию p-примесей в графене. Кроме того, последующая дополнительная обработка поверхности углеродного материала с помощью химического состава, называющегося формамидом, позволяет временно улучшить электронные свойства листа графена. Результаты данной работы помогут в будущем создавать более совершенные электронные устройства из графена.
Рис. 1. Схема улучшения поверхности графена, загрязненной полимером, при помощи формамида.
Химическое осаждение из парообразного состояния – один из наиболее удобных и распространенных методов производства больших по площади образцов графена. Однако, для создания электронных устройств, углеродный материал, осаждаемый на металлическую поверхность (в частности, медь), необходимо перенести на диэлектрическую подложку, к примеру, на SiO2 или обладающий гексагональной кристаллической решеткой нитрид бора. В ходе этого процесса большинство исследователей используют вспомогательный
полимер (полиметилметакрилат) в виде раствора.