http://www.ClickHere.ru/ -
баннерная сеть, система обмена баннерами (8 %
комиссии,бесплатные перевод показов и таргетинг,
468*60, 120*60, 125*125, 88*31)
http://skyboom.com/chance-on-line - Создание успешного
Интернет-бизнеса"
две крупнейшие компании по производству
микросхем - немецкая Infineon Technologies и американская
International Business Machines (IBM) объявили о своем
сотрудничестве. Компании будут совместно
разрабатывать карточки компьютерной памяти
нового поколения.
Аналитики отмечают, что это решение принято в
пику Hitachi и NEC, которые недавно также объявили о
своем партнерстве на рынке RAM. Однако гиганты
пошли дальше - они разрабатывают совершенно
новую технологию, которая получила рабочее
название MRAM - Magnetic Random Access Memory. В карточках
оперативной памяти вместо электрических
импульсов будут использоваться магнитные поля.
В новую разработку планирует вложить десятки,
если не сотни, миллионов долларов.
Основное преимущество новой технологии -
возможность хранения гораздо большего
количества информации и возможность ее
запоминания при кратковременных отключениях
питания.
Также новая память будет эргономичной.
Представители обеих компаний в один голос
заявляют, что перегрев чипов MRAM исключен. Они
также отмечают, что новая технология позволит не
перезаряжать аккумуляторы портативных
компьютеров и мобильных телефонов в течение
нескольких лет (в условиях нахождения в режиме
Stand-by). Сейчас средний ноутбук может продержаться
в таком состоянии около 12 часов, а мобильник - 30-120
часов. «MRAM - революция в секторе цифровой памяти»,
- заявил вице-президент IBM Биджан Давари. Он также
добавил, что «эта технология заменит собой все
прочие, которые сейчас существуют на рынке».