Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay

Анонсы и новости ixbt.com

  Все выпуски  

По оценке IM Flash Technologies, традиционной технологии флэш-памяти NAND хватит еще на два поколения техпроцесса Переход к объемной флэш-памяти уже начинается и его лидером является Toshiba


Анонсы и новости ixbt.com
  
Анонсы и новости IXBT.com Новости Hardware (доступна выборочная подписка)

По оценке IM Flash Technologies, традиционной технологии флэш-памяти NAND хватит еще на два поколения техпроцесса Переход к объемной флэш-памяти уже начинается и его лидером является Toshiba

В ходе мероприятия Imec Technology, прошедшего на этой неделе в Бельгии, компания IM Flash Technologies, являющаяся совместным предприятием Intel и Micron Technologies, пролила свет на планы освоения технологий трехмерной компоновки микросхем в производстве флэш-памяти.

Отрасль сейчас начинает переход от планарного размещения ячеек памяти типа NAND к компоновке с вертикальной интеграцией транзисторов. Такой подход позволяет формировать ячейки, способные хранить несколько бит информации за счет наличия вертикального канала и нескольких затворов, соответствующих разным уровням напряжения.

Лидером направления стала компания Toshiba, разработавшая технологию p-BiCS (pipe-shaped Bit Cost Scalable). В конце прошлого года японский производитель объявил о создании 16-слойной памяти, в которой используется вертикальный канал диаметром 50 нм. ЕЕ ознакомительные образцы должны быть готовы в этом году, а серийное производство планируется начать в 2015 году.

Переход к объемной флэш-памяти уже начинается и его лидером является Toshiba

По оценке IM Flash Technologies, предел уменьшения традиционной флэш-памяти уже близок, но еще на два поколения технологических норм — 15 и 10 нм — существующей технологии хватит. Освоение объемной компоновки развернется на этапе, соответствующем 15 нм. Интересно, что 16 слоев, по подсчетам IM Flash Technologies, недостаточно, чтобы сделать затею экономически оправданной. По меньшей мере, необходимо 32, а еще лучше — 64 слоя.

Источник: EE Times

Samsung Electronics распрощается с четырех- и восьмиразрядными микроконтроллерами Ixys выкупит у Samsung Electronics весь бизнес, связанный с четырех- и восьмиразрядными микроконтроллерами

Компания Ixys, специализирующаяся на выпуске микросхем и мощных полупроводниковых приборов для силовых цепей, объявила о заключении соглашения с Samsung Electronics. Предмет соглашения — бизнес Samsung Electronics, связанный с четырех- и восьмиразрядными микроконтроллерами. Компания Ixys выкупит его у южнокорейской компании примерно за 50 млн. долларов.

По условиям соглашения, покупатель получит примерно 80 готовых продуктов, включая интеллектуальную собственность, складские запасы готовой продукции и другие активы. Сделка должна пройти все необходимые в таких случаях формальности. Ее завершение ожидается в течение месяца со дня подписания соглашения, а эффект от сделки будет отражен в отчете Ixys за финансовый год, завершающийся 31 марта 2014 года.

Ixys выкупит у Samsung Electronics весь бизнес, связанный с четырех- и восьмиразрядными микроконтроллерами

Напомним, дочерним предприятием Ixys является компания Zilog, пионер отрасли микроконтроллеров. Учитывая, что основой многих микроконтроллеров Samsung первоначально послужили разработки Zilog, покупатель надеется с легкостью интегрировать приобретение в существующее предприятие.

Приобретая активы Samsung, в Ixys рассчитывают укрепить свои позиции на рынке микроконтроллеров, в том числе, и расширив клиентскую базу в сегментах промышленной, медицинской и потребительской электроники. Более того, сделка является частью осуществления стратегической программы под названием World of Ixys.

Источник: Ixys




   Copyright © 1997 - 2011, iXBT.com  

В избранное