Intel выпустила официальный пресс-релиз о новых Xeon и представила чипсет E7525 (Tumwater). Как отмечается в пресс-релизе компании, производительность новой платформы на 30% выше по сравнению с платформами предыдущего поколения (по результатам SPECfp_rate_base2000 для платформы с двумя Intel Xeon 3.60 GHz (800 MHz FSB, чипсет - Intel E7525) и результатам теста для платформы c двумя Intel Xeon 3.20 GHz с 1MB L3 (533 MHz FSB, чипсет - Intel E7505). Решения на базе анонсированных Xeon планируют представить Asus, Compusys, Dell, IBM, HP, Egenera, Foxconn, FSC, Fujitsu, Gigabyte, HCL, Iwill, Kraftway, Maxdata, MPC, NEC, Optimus и Tyan, причем, ряд плат был анонсирован досрочно.

Таким образом, линейка Intel Xeon представлена моделями с тактовыми частотами от 2,80 до 3,60 ГГц, причем, последние модели доступны в ограниченных количествах - серийно они будут выпускаться только с третьего квартала (по крайней мере, такие данные на текущий момент). Cтоит еще раз упомянуть реализованные в процессорах технологии Demand Based Switching (DBS) и Enhanced Intel SpeedStep - динамической регулировки и снижения потребляемой мощности процессора, а также технологии адресации памяти "для увеличения гибкости приложений" Extended Memory 64 Technology (EM64T). Расширения Hyper-Threading предназначены для увеличения производительности платформы при работе с многопоточными приложениями. Что касается чипсета, то в нем реализованы технологии "балансировки производительности" системы по трем параметрам - процессор, шина ввода/вывода и память. 800 МГц системная шина по сравнению с предыдущими поколениями обладает увеличенной на 50% пропускной способностью; PCI Express, во-первых, увеличивает пропускную способность графической шины (по сравнению с AGP8x), позволяет увеличить скорость работы с сетью и т.п., во-вторых, она поддерживает технологию DDR2, что позволяет снизить энергопотребление на 40% по сравнению с DDR333. Intel Xeon, как отмечено в пресс-релизе, будет использоваться и в новых поколениях двухпроцессорных серверных платформ, которые будут представлены в ближайшие месяцы. Платформы планируется выполнить на чипсетах Intel E7520 и Intel E7320 (Lindenhurst и Lindenhurst-VS), а также процессоре ввода/вывода IOP332 (Dobson)

Подробности на Intel.ru

Как считают специалисты iSuppli, продолжительность расширения мирового рынка памяти во многом зависит от всего 4 производителей памяти и темпов их перехода к использованию норм 90-нм техпроцесса. Согласно последним оценкам от различных аналитических компаний, «темп задают» Samsung, Micron, Hynix и Infineon, чья суммарная рыночная доля составляет около 79%. Все эти компании планируют начать переход на новый техпроцесс в первой половине 2005 года, а это означает, что статус кво на рынке сохранится в течение всего 2004 и начале 2005 года; в частности, выход годных к использованию микросхем, выполненных по 90-нм технологии, будет низким и на протяжении 2005 года, что ограничит темпы роста производства DRAM в мировом масштабе и ставя поставки памяти и ценообразование в зависимость от четверки лидеров. Рост рынка в терминах суммарной плотности выпущенных микросхем DRAM в 2004 году составит около 40%, что, во-первых, ниже прошлогодних показателей (44%), а, во-вторых, гораздо ниже «исторически сложившегося» 70% роста. В 2005 году, по оценкам аналитиков, рост рынка составит 45%; ситуация начнет улучшаться лишь в 2006 году, когда ежегодный рост выпуска составит 60%, однако, именно в этот период может наблюдаться перенасыщение рынка, что, в конечном итоге, приведет к 30% снижению доходов от продаж DRAM, которое и закончит 4-летний цикл роста сектора DRAM.

Из четырех лидеров рынка первым на коммерческое производство микросхем, выполненных по 90-нм техпроцессу, перейдет, как ожидается, Samsung, которая уже в настоящее время «обкатывает» технологию на производственной линии Line 12 (правда, выпуская флэш-память). Infineon и Micron наметили путь постепенного перехода на 90-нм технологию, предложив, в частности, новую архитектуру ячеек памяти. Hynix также должна ускорить переход на 90-нм техпроцесс - в частности, об этом сказано в меморандуме о взаимопонимании, подписанного с ProMOS, партнером корейского производителя. Если производители памяти задержатся с началом перехода на новый техпроцесс до второй половины 2005 года, объемы выпуска годных к использованию микросхем DRAM, выполненных по 0,11 и 0,10-мкм технологиям, приведут к увеличению поставок памяти на рынок и снижению цен. При таком развитии ситуации упадок рынка DRAM начнется не в 2006 году, как предполагается в настоящее время, а уже в конце 2005 года. Среди других факторов, которые повлияют на поставки DRAM в ближайшие годы, будет переход к выпуску микросхем на новых 300-мм фабриках. К концу 2005-началу 2006 года серийное производство на своих первых таких фабриках начнут Hynix и Micron, Powerchip Semiconductor - на второй 300-мм фабрике; примерно в этот же период времени ожидается начало серийного выпуска микросхем на 300-мм подложках Samsung и Infineon.

Подробности на SiliconStrategies.com

Многие в последнее время ставят справедливость закона Мура под вопрос, и даже в самой Intel уже не так уверены в том, что через пару лет этот закон (хотя, вообще говоря, трудно сказать, можно ли называть эмпирическое правило законом, но оставим этот филологический вопрос за рамками новости) продолжит выполняться. Однако, у закона Мура появился новый защитник, правда, в специфической области (ЖК-дисплеев) - европейская лаборатория Sharp, представившая планы по миниатюризации полупроводниковых устройств на стеклянной подложке.

В настоящее время контроллеры ЖК-дисплеев выпускаются с соблюдением норм 1-3 мкм, но в Sharp полагают, что уже вскоре смогут перейти на нормы 0,8 мкм, и процесс перехода будет соответствовать закону Мура - количество элементов будет удваиваться каждые 18 месяцев. При этом перспективы применения технологий кремний-на-стекле не ограничиваются лишь контроллерами ЖК-дисплеев: не так давно эта же исследовательская лаборатория Sharp продемонстрировала микропроцессор Z80, выполненный на стеклянной подложке с соблюдением норм (условно говоря) 2 мкм. Его тактовая частота составляла 3 МГц при напряжении питания 5 В. Кроме "простой" миниатюризации, в развитии новых технологий будут использованы и такие разработки, как CG (continuous grain) поликристаллический кремний вместо аморфного кремния, использующегося обычно для нанесения на стекло. Подвижность носителей заряда в поликристаллическом кремнии несколько ниже (почти вдвое), чем в кристаллическом (используемом в полупроводниковых чипах), однако в 300 раз выше, чем у аморфного кремния. С применением технологических ухищрений, в будущем возможно достижение норм 0,25 мкм и тактовой частоты контроллеров ЖК-дисплеев до 30 МГц.

Подробности на SiliconStrategies.com

Компания Lite-ON IT планирует начать серийное производство собственных DVD-рекордеров со встроенным жестким диском (емкостью от 40 до 120 Гб) в конце июля. Таким образом, она станет первым тайваньским производителем оптических приводов, которая начнет серийные поставки подобного рода устройств.

Конкуренты Lite-ON, включая BenQ, Mustek Systems, MET Technology и Tatung начнут серийный выпуск бытовых DVD-рекордеров с жесткими дисками в период с августа по октябрь. Как напоминает Digitimes, тайваньские производители начали предлагать DVD-рекордеры в третьем квартале прошлого года, но OEM-цены на устройства начального уровня упали до 250 долларов, цены рекордеров с 40 Гб жестким диском начинались от 350 долларов. В настоящее время Pioneer, Panasonic и JVC доминируют на мировом рынке DVD-рекордеров с жесткими дисками емкостью 80-120 Гб, розничные цены таких устройств на Тайване составляют около 1036-1330 долларов США, тайваньские же конкуренты планируют потеснить японскую продукцию, заявляя, что розничная цена их устройств будет на 30-40% ниже. Со временем будет видно, насколько изменится рыночная доля японских производителей в регионе - и изменится ли вообще, поскольку спрос и рынок DVD рекордеров с жесткими дисками продолжает расти. Так, в частности, в Японии доля проданных устройств (от общего числа DVD-рекордеров) выросла с 20-30% во второй половине 2003 года до 60-70% в первой половине текущего года и прогнозируется дальнейший рост продаж.

Подробности на LiteOnIT.com

В 4 квартале этого года Intel представит обновленную версию чипсета i925X (Alderwood) с поддержкой 1066 МГц FSB; именоваться этот чипсет будет i925XE (Extended?), а в качестве южного моста с ним будут использоваться традиционные ICH-6R и ICH-6W. Вероятнее всего, произойдет это одновременно с анонсом Grantsdale с поддержкой Wi-Fi.

Сроки выпуска обновленной версии чипсета можно установить по планам ABIT, которая представит на этом чипсете линейку плат "для геймеров"; первой ласточкой в линейке станет плата AA8 Fatal1ty под процессоры Pentium 4 (дата представления - октябрь), одновременно с ней будет представлен и вариант под Socket 939 AMD Athlon 64, AN8 Fatal1ty. 1066 МГц FSB впервые появится в 3,46 ГГц Pentium 4 Extreme Edition в 3 квартале, затем - в четвертом квартале - последует выпуск 3,73 ГГц Pentium 4 Extreme Edition (модель 720). Пока неясно, будут ли представлены модели P4 серии 5xx с повышенной частотой FSB, но, как отмечают источники, она будет реализована в следующем году в линейке Xeon - под чипсеты Blackford и Greencreek.

Подробности на TheRegister.co.uk

Спецификация защиты сетей Wi-Fi получила окончательное одобрение организации по стандартизации, и теперь на очереди усовершенствования в области качества работы и быстродействия беспроводных сетей. Институт инженеров по электротехнике и электронике утвердил спецификацию 802.11i в качестве стандарта, подлежащего применению в сочетании с другими стандартами 802.11. Многие участники отрасли дожидались этого момента, однако некоторые элементы стандарта уже используются. Производители уже полгода продают продукты на основе предварительных версий 802.11i в расчете на то, что в окончательной спецификации значительных изменений не произойдет. Продукты Wi-Fi образуют беспроводные локальные сети, которые позволяют устанавливать связь между устройствами, передавать и принимать данные в радиусе 45 м.

Стандарт 802.11i должен придать беспроводным сетям солидности в глазах предприятий. Прежние средства защиты, такие как Wired Equivalent Privacy, легко взламывались хакерами, что заставляло многих ИТ-менеджеров относиться к беспроводным сетям с опаской. Стандарт 802.11i предполагает шифрование данных, передаваемых по беспроводной сети, защищая их от любого, кто вздумает перехватить эти данные. По словам директора Intel по маркетингу средств защиты Робина Рича, наиболее важным элементом стандарта 802.11i является Advanced Encryption Standard (AES) - сильный алгоритм шифрования, поддерживающий ключи длиной 128, 192 и 256 бит. Рич добавил, что комплект микросхем Intel Centrino будет поддерживать стандарт 802.11i после того, как Wi-Fi Alliance сертифицирует их на совместимость, - то есть предположительно в сентябре. К концу года все продукты Centrino станут 802.11i-совместимыми, и программное обеспечение будет обновлено. Теперь на очереди другие спецификации Wi-Fi, включая 802.11e, относящуюся к качеству обслуживания, и 802.11r, которая усовершенствует роуминг клиентов при переходе из зоны действия одной сети в зону действия другой. Разрабатывается и спецификация для сетей с повышенным быстродействием 802.11n, которая позволит работать с фактическими скоростями свыше 100 Мбит/с, но она выйдет нескоро.

Подробности на ZDNet.ru