На стартовавшей 31 мая в Тайбэе (Тайвань) международной выставке компьютерных технологий Computex 2011 компания SandDisk дебютировала с двумя продуктами хранения данных, построенных на памяти NAND Flash.
Твердотельные накопители в рамках линейки U100 оборудованы поддержкой интерфейса SATA III и могут считывать данные на скорости до 450 Мбит/с и записывать на скорости до 340 Мбит/с. Устройства из серии i100 iSSD могут похвастаться скоростью записи на уровне 160 Мбит/с, а чтения - 450 Мбит/с.
Все SSD-накопители изготовлены в форм-факторе BGA, что позволяет подключать их напрямую к материнской плате, без дополнительной интеграции. Модели i100 iSSD за счет своих небольших габаритов найдут свое применение в планшетных компьютерах, более крупные накопители U100 подойдут для ноутбуков.
Что касается объемов встроенной памяти, то семейство U100 предлагается в емкости от 8 до 256 Гб, их оппоненты существуют в вариантах от 8 до 128 Гб. Серийное производство изделий стартует летом 2011 года.
Компания Samsung Electronics с гордостью объявила о том, что она стала первым производителем, начавшим серийный выпуск 32-гигабайтных модулей оперативной памяти DDR3, выполненных на основе 30-нанометровых чипах плотностью 4 гигабита. Изделия, представляющие собой модули регистровой памяти (RDIMM, Registered Dual Inline Memory Module), могут быть использованы в серверных системах.
Разработанная память работает на тактовой частоте 1866 МГц и напряжении 1,35 В, тогда как предшествующие 32-гигабайтные
DRAM-модули, изготовленные по 40-нм нормам, использовали частоту 1333 Мгц и вольтаж 1,5.
"Представив данные модули, Samsung вышла на новый конкурентоспособный уровень продуктов на рынке DRAM-памяти для персональных компьютеров, серверов и мобильных устройств", - говорит Ванхун Хонг (Wanhoon Hong), исполнительный вице-президент по маркетингу и продажам памяти в компании Samsung Electronics. "Мы также планирует во 2-й половине года начать поставки более энергоэффективной 4-гигабитной
памяти DDR3 DRAM с 20-нм технологической основой, что позволит существенно расширить растущий рынок экологически чистой памяти".
Старт производства 4-гигабитных микросхем памяти DDR3 DRAM, изготовляемых по 30-нм техпроцессу, состоялся в феврале 2011 года.
Несколько инцидентов, связанных с обнаружением партии бракованных аккумуляторных батарей для ноутбуков HP, не окажет серьезного негативного воздействия на производственную деятельность американского вендора. Дело в том, что дефектные элементы питания предназначались не для новых лэптопов, отмечают источники среди тайваньских производителей портативных компьютеров.
Интернет-издание DigiTimes напоминает, что HP собирается отозвать 162,6 тысяч литий-ионных аккумуляторов, используемых в своих продуктах
под торговой маркой Compaq. Сообщается, что эти батареи могут перегреваться, что создает повышенную опасность возгорания и последующего возникновения пожара. Эти проблемные устройства продавались в основном через розничные сети и онлайн-магазин HP в период между июлем 2007 года и июлем 2008 года. Стоимость устройств варьировалась от 500 до 3000 долларов.
В мае 2010 года HP забраковала еще 54 тысяч батарей для ноутбуков, годом ранее - 70 тысяч. Информация о всех моделях ноутбуков, у которых могут
возникнуть проблемы с работой аккумуляторов, имеются на официальном сайте производителя.