Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay

Комплектующие для ПК: последние новинки и обзоры

Рассылка закрыта

При закрытии подписчики были переданы в рассылку "Ваш простой бизнес-помощник" на которую и рекомендуем вам подписаться.

Вы можете найти рассылки сходной тематики в Каталоге рассылок.

←   Апрель 2011   →
 1
 2
 3
 4
 5
 6
 7
 8
 9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
Автор
Редактор

Статистика

997 подписчиков
+1 за неделю
←   Все выпуски   →

Комплектующие для ПК: последние новинки и обзоры


21 апреля 2011 года, четверг.

Содержание номера:

Samsung SH-222AB: привод с быстрым распознаванием дисков


Компания Samsung Electronics распространила в СМИ пресс-релиз, в котором сообщила о выходе оптического DVD-привода SH-222AB, отличающегося высокой скоростью распознавания дисков. По словам разработчиков, это устройство загружает информацию на 60% быстрее по сравнению с другими приводами. Традиционные модели имеют время загрузки от 15 до 30 секунд, напоминает Samsung.

Таким образом, с помощью SH-222AB пользователи могут начать смотреть фильм почти сразу после того, как диск загружен в лоток. Кроме того, в южнокорейской компании отмечают малое энергопотребление устройства и низкий уровень шума, создаваемый изделием при работе.

Продукт оборудован буфером объемом 2 Мб и характеризуется скоростью записи 22x для дисков DVD-R/+R, 12x для DVD-R/+R DL и DVD-RAM, 8x для носителей DVD+RW, 6x для DVD-RW, 48x для CD-R, 32x для дисков CD-RW.

Samsung SH-222AB подключается к компьютеру посредством интерфейса SATA. Продукт доступен в продаже по цене 29 долларов.

Toshiba поможет в создании смартфонов с объемом памяти 128 Гб


Японская компания Toshiba анонсировала создание первого опытного образца памяти NAND Flash, изготовленного на основе 19-нм технологического процесса. Флеш-чипы с двумя битами (MLC) на ячейку имеют емкость 8 Гб (64 Гбит) и крайне малые размеры, что, по словам разработчиков, позволит создавать мобильные устройства со встроенными накопителями объемом до 128 Гб. Toshiba обещает установку до 16 чипов в один стек, сообщается в официальном пресс-релизе.

Новая память оборудована последовательным асинхронным интерфейсом Toggle DDR 2.0, позволяющим передавать данные на скорости до 400 Мбит/с. Позже с применением 19-нм норм производитель планирует выпустить память с трёхбитовой ячейкой.

Toshiba говорит, что серийное производство 19-нм памяти стартует летом 2011 года. До конца года также могут появиться первые мобильные устройства со 128 Гб встроенной памяти от Toshiba.

Следует отметить, что накануне компании Intel и Micron представили 20-нанометровый технологический процесс производства флеш-памяти. Тогда сообщалось, что 8-гигабайтная микросхема памяти, произведенная по 20-нм нормам, имеет площадь всего в 118 квадратных миллиметров и занимает от 30 до 40 процентов меньше места на печатной плате по сравнению с 25-нанометровой микросхемой того же объема.
В избранное