Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay

Комплектующие для ПК: последние новинки и обзоры

Рассылка закрыта

При закрытии подписчики были переданы в рассылку "Ваш простой бизнес-помощник" на которую и рекомендуем вам подписаться.

Вы можете найти рассылки сходной тематики в Каталоге рассылок.

←   Октябрь 2010   →
 1
 2
 3
 4
 5
 6
 7
 8
 9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
Автор
Редактор

Статистика

997 подписчиков
+1 за неделю
←   Все выпуски   →

Комплектующие для ПК: последние новинки и обзоры


Комплектующие для ПК: последние новинки и обзоры
13  октября 2010 года, среда.

Содержание номера:

Samsung начинает производство 20-нм флеш-памяти 3-bit-per-cell


Корпорация Samsung Electronics с гордостью объявила о начале производства 20-нм чипов флеш-памяти 3BPC (3-bit-per-cell) объемом 64 Гбит (8 Гб). Такая архитектура микросхем флэш-памяти позволяет хранить до трех бит в одной ячейке памяти, делая возможным увеличение информационной емкости готовых флэш-накопителей.

Переход на более "тонкий" технологический процесс указывает на очередное снижение размеров интегральных микросхем - по заверениям разработчиков, изготовленные ими микросхемы объемом 64 Гбит являются самыми миниатюрными и недорогими микросхемами из представленных сегодня на мировом рынке.

"Samsung неоднократно была первопроходцем на рынке передовых решений NAND Flash, включая, например, выпуск 30-нм чипов емкостью 32 Гбит в ноябре прошлого года", - отметил Сейджин Ким (Seijin Kim), вице-президент подразделения Flash Memory Planning/Enabling в Samsung. По словам господина Кима, в новых чипах применяется технология Toggle DDR, с ее помощью разработчики устройств смогут серьезно увеличить скорость передачи данных.

3-битные флеш-чипы Samsung позволят увеличить вместимость флешек, карт памяти SD, твердотельных накопителей и накопителей в смартфонах.

Elpida и Sharp совместно разработают память нового поколения ReRAM


Японская компания Elpida Memory совместно с корпорацией Sharp займутся разработкой чипа памяти нового поколения. Его коммерческий выпуск запланирован на 2013 год.

Чип нового типа, получивший название ReRAM, или резистивное запоминающее устройство с произвольным доступом, отличается низким энергопотреблением и способно записывать данные в 10 000 раз быстрее, чем может NAND флеш-память, широко используемая сейчас в мобильных устройствах.

Как сообщается, благодаря чипам ReRAM можно будет загружать HD видеозапись всего за несколько секунд, а в режиме ожидания устройство, оснащенное новой памятью, почти не потребляет электричества.

Серийным производством чипов нового поколения, скорее всего, займется Elpida, третий по величине производитель микросхем DRAM.

Конкурирующие компании также не теряют времени. Как сообщают Nikkei, в компаниях Samsung Electronics и Toshiba также занимаются созданием альтернативных версий чипов памяти нового типа.

Marvell выпускает 4-канальный чип с поддержкой Wi-Fi 802.11n


Инженерами из компании Marvell был разработан четырехканальный чип с поддержкой беспроводного стандарта 802.11n. Микросхема с броским названием Avastar 88W8764 позиционируется как "новое поколение" беспроводных коммуникаций, используемое для точек доступа корпоративного класса, шлюзов, высокопроизводительных домашних маршрутизаторов, мультимедийных и мобильных серверов, цифровых телевизоров и абонентских приставок.

По словам разработчиков, представленное решение является первым в мире однокристальным чипом с поддержкой Wi-Fi 802.11n. Оно использует открытые стандарты для управления сетевым доступом. За счет четырех независимых приемо-передающих радиочастотных каналов удалось существенно повысить пропускную способность по сравнению с аналогичными разработками. Передача данных может осуществляться на скорости до 450 Мбит/с.

В Marvell заявляют, что Avastar 88W8764 поддерживает широкий спектр потребительских устройств, среди которых планшетные компьютеры, смартфоны, ридеры, ноутбуки, принтеры и проигрыватели Blu-Ray.
В избранное