Компания Samsung представила свой первый SSD-накопитель, созданный на базе асинхронной технологии DDR NAND.
Как отмечается, эта 512-гигабайтная новинка оснащается 32-гигабитными чипами, изготовленными на базе техпроцесса 30 нм. Плюс, используется интерфейс SATA 3.0, что вместе с асинхронной технологией DDR NAND позволяет добиться скорости чтения информации с накопителя на уровне в 250 Мб/сек, а скорости записи информации - порядка 220 Мб/сек. Чтобы было понятно, о каких скоростях идет речь, приводится пример - подобный уровень скорости позволит копировать два DVD-фильма стандартной продолжительности (по 4 гигабайт
каждый) за минуту.
Еще одна особенность новинки - наличие специального контроллера с пониженным питанием, что позволило снизить объем потребляемой накопителей электроэнергии.
К сожалению, на данный момент представители Samsung ничего не говорят о приблизительной стоимости продукта. Что же касается массового производства, то оно должно начаться уже в июле 2010 года.
Разработчики из японской корпорации Toshiba вновь стали рекордсменами в области производства флеш-памяти. Компания создала первый в мире чип памяти NAND Flash объемом 128 Гб, созданный с применением 32-нм технологического процесса. Один такой модуль включает выделенный контроллер и 16 микросхем, каждый из которых обладает емкостью 8 Гб. При этом толщина модуля составляет всего 1,5 мм. По словам разработчиков, 128-гигабайтный чип позволит
хранить до 16,6 часов видео в разрешении 1080p.
Пока максимальный объем интегрированных карт с flash-памятью, используемых в портативных устройствах - смартфонах и портативных плеерах - не превышает 64 Гб. А с новинками от Toshiba память таких устройств, как iPhone и iPod touch, можно будет увеличить до 128 и 256 Гб соответственно (в iPod touch можно устанавливать два модуля памяти). Именно Apple является наиболее вероятным кандидатом на использование новой памяти в своих устройствах.
Тестовые образцы 128-Гб чипов памяти NAND Flash будут доступны в сентябре 2010 года, а серийное производство должно начаться позднее, осенью.