Компании OCZ и Indilinx совместно выпустили новую "прошивку" для SSD-накопителей OCZ серии Vertex, в рамках которой решена проблема с "замусоренностью" накопителей.
Суть проблемы заключается в следующем: в SSD-накопителях информация хранится в 4-килобайтных страницах, которые группируются в 512-килобайтные блоки, и при записи новой информации, если одна из страниц уже содержит данные, необходимо полностью переписывать целый блок. Таким образом, производительность SSD со временем падает.
Новая же "прошивка" от OCZ и Indilinx автоматически производит "чистку мусора", когда обращений к накопителю нет, оптимизируя расположение данных на накопителе. Как отмечается, за час такой оптимизации производительность накопителя может вернуться на уровень первых дней работы.
Как стало известно, компания Hynix Semiconductor закончила разработку 4-гигабайтной мобильной памяти SDRAM, которую будет поддерживать платформа Intel Moorestown.
Разработана эта память специально для использования в рамках мобильных интернет-устройств.
Что касается технических параметров памяти, то максимальная скорость передачи данных составяет 400 мегабит в секунду, максимальный объем обработки данных равняется 1,6 гигабайт в секнду, плюс память соответствует стандартами JEDEC.
Массовое производство новой памяти, как отмечают представители Hynix, должно начаться уже в третьем квартале 2009 года.