Физики из MIT разработали транзистор на основе сегнетоэлектрического материала, который способен революционизировать электронику.
Этот ультратонкий материал, созданный той же командой в 2021 году, разделяет положительные и отрицательные заряды на разные слои.
Команда под руководством Пабло Харильо-Эрреро, профессора физики, и Рэймонда Ашури, профессора физики, продемонстрировала , что их новый транзистор превосходит текущие промышленные стандарты по нескольким ключевым параметрам.
В основе нового транзистора лежит сегнетоэлектрический материал, уложенный в параллельную конфигурацию, что не встречается в природе.
При приложении электрического поля слои материала слегка сдвигаются, изменяя положения атомов бора и азота, что существенно меняет его электронные свойства.
Новый транзистор выделяется способностью переключаться между положительными и отрицательными зарядами на наносекундных скоростях, что критично для высокопроизводительных вычислений и обработки данных.
Кроме того, транзистор проявил исключительную долговечность, не показывая признаков деградации даже после 100 миллиардов переключений.
Для сравнения, обычные устройства флэш-памяти подвержены износу и требуют сложных методов распределения операций чтения и записи по чипу.
Ультратонкий транзистор, толщина которого составляет всего несколько миллиардных долей метра, открывает возможности для создания более плотной компьютерной памяти и более энергоэффективных транзисторов.
Несмотря на огромный потенциал, остаются нерешенные проблемы, препятствующие широкому внедрению технологии.
Основная трудность заключается в необходимости выращивания этих материалов в масштабах пластин.
Исследовательская группа также изучает возможность использования оптических импульсов для инициирования сегнетоэлектричества и тестирует пределы переключаемости материала.
Современный метод производства новых сегнетоэлектриков сложен и не подходит для массового производства.
Ведущие исследователи подчеркивают, что решение существующих проблем откроет путь к использованию этого материала в будущей электронике.
Как отметил Рэймонд Ашури, «если удастся решить эти проблемы, этот материал впишется в будущее электроники многими способами. Это очень увлекательно».
Пабло Харильо-Эрреро выразил уверенность, что их работа может изменить мир в ближайшие 10-20 лет.
источник
Вступите в группу, и вы сможете просматривать изображения в полном размере
Это интересно
+2
|
|||
Последние откомментированные темы:
-
Почeму «тaксист» из знаменитых «Джентльменов удачи», ни разу не посмотрел на «Косoго» за все в
(1)
Галина (Виноградинка)
,
28.02.2022
-
Как гаджеты влияют на мозг детей
(3)
фм++)
,
28.02.2022
-
20 фото женской красоты, от которой захватывает дух
(8)
Е.Коп
,
28.02.2022
-
Остроумный Альберт Эйнштейн
(4)
pinna
,
27.02.2022
-
Ранней весной 1966 года, в кабинете генсека Леонида Брежнева раздался звонок
(1)
mic91
,
27.02.2022
20241228043631