Благодаря новейшим разработкам компании Toshiba Electronics, новое поколение MOSFET транзисторов обладает лучшими характеристиками в своем классе. Малое сопротивление канала, уменьшенный заряд затвора, а также усовершенствованная внутренняя структура корпусов позволяет добиться малых потерь на транзисторе и разработать надежное устройство с высоким КПД. Данные электронные компоненты могут использоваться во всех устройствах, где требуется надежность, высокая эффективность, а также качество готового изделия.
Направление силовых транзисторов является фокусным в компании, и постоянное развитие технологий позволяет разрабатывать новые компоненты с улучшенными характеристиками. В качестве характерного примера стоит отметить высокоэффективные низковольтные MOSFET-транзисторы в корпусе DPAK+ и высоковольтные Super Junction MOSFET, сделанные по технологии DTMOS.
Читать дальше полное описание
Это интересно
+5
|
|||
Последние откомментированные темы: