Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель (SSD) вместимостью 32 Тбайт.
Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет.
Сергей Карасёв
3dnews.ru
Это интересно
+1
|
|||
Последние откомментированные темы:
-
Пирог с жюльеном
(1)
BOSS7
,
08.10.2020
-
Пицца с фаршем индейки
(1)
BOSS7
,
08.10.2020
-
Рулет без выпечки
(1)
BOSS7
,
11.01.2020
-
Салат «Анастасия»
(1)
BOSS7
,
22.10.2019
-
Бездрожжевой хлеб на закваске "Вечная"
(1)
BOSS7
,
22.10.2019
20250105034510