В большинстве случаев при газофазной эпитаксии получение эпитаксиальных слоев достигается с использованием различных химических реакций, где источником основных компонентов являются их летучие соединения. В районе кристаллизации пленки устанавливается меж- j фазовое и химическое равновесие. На закономерности роста оказывают j влияние также процессы массопереноса и химические реакции в газовой фазе, на которые, в свою очередь, в земных условиях влияет естественная конвекция. Главным контролируемым параметром при газовой эпитаксии являются температура и парциальное давление компонентов в зоне роста.
Технология получения эпитаксиальных структур с заданными свойства-. ми очень сложна и для ее оптимизации необходимо создание математических моделей процессов, происходящих в газовой фазе и зоне кристаллизации.
Кроме методов газофазной эпитаксии (хлоридного, хлоридно-гидридно- го и при использовании металлоорганических соединений) в настоящее время разработан метод молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющий получать гетероструктуры со сверхтонкими слоями и существенно повышающий возможности создания сложных эпитаксиальных структур на Земле.
Во всех перечисленных методах совершенство полученных полупровод- I никовых материалов зависит от условий в жидкой или газовой фазах, наличия возмущений, градиентов температуры и концентраций в жидкой и газовой фазах и в растущем кристалле. Контроль этих параметров и управление ими весьма сложен. В условиях силы тяжести на Земле управление процессом затрудняется наличием гравитационной, температурной и концентрационной конвекцией, имеющей, как правило, нерегулярный характер. Поэтому все эти методы в принципе могут привести к лучшим результатам при переходе к условиям невесомости. Однако для реализации новых возможностей необходимо широкое проведение теоретических и экспериментальных исследований.
Это интересно
0
|
|||
Комментарии временно отключены